凸版印刷构建22/20nmArF掩模生产线
2010-09-17 08:58:08.0 来源：日经BP社 责编：Victoria
- 摘要：
- 运用此次的掩模技术有望缓解掩模设计中的限制以及提高晶圆处理工序的生产效率，“不仅可以提高掩模自身性能，而且可以通过与晶圆处理工序中转印时的优点形成的组合效果，实现优异的总体光刻解决方案”（凸版印刷）。
【CPP114】讯：凸版印刷宣布已经建立了面向22nm及20nm工艺的ArF掩模供应体制。在该公司的朝霞光掩模工厂内，构建了22nm/20nm用的ArF掩模生产线，提供给半导体厂家的试制及量产用途。该技术是与美国IBM联合开发的。
此次开发的掩模技术工艺为了使用ArF曝光技术来支持20nm工艺，主要采用了以下三项掩模技术。第一，开发出了可支持ArF曝光微细工艺所需的二次图形（DP）和SMO（Source Mask Optimization）掩模技术。第二，导入名为薄膜OMOG（opaque MoSi on glass）的新型掩模材料，提高了微细图案的分辨率、尺寸的均匀性和掩模的平坦度，降低了工艺造成的位置精度劣化，提高了掩模耐清洗性等。第三，减小了掩模的厚度。随着工艺的微细化，电磁场偏置（electromagnetic field bias）等起因于掩模厚度的影响逐渐显现。此次通过减薄薄膜厚度，减小了这些不良影响。
运用此次的掩模技术有望缓解掩模设计中的限制以及提高晶圆处理工序的生产效率，“不仅可以提高掩模自身性能，而且可以通过与晶圆处理工序中转印时的优点形成的组合效果，实现优异的总体光刻解决方案”（凸版印刷）。该技术的具体细节预定在掩模相关国际会议“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美国蒙特里）上发布。
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此次开发的掩模技术工艺为了使用ArF曝光技术来支持20nm工艺，主要采用了以下三项掩模技术。第一，开发出了可支持ArF曝光微细工艺所需的二次图形（DP）和SMO（Source Mask Optimization）掩模技术。第二，导入名为薄膜OMOG（opaque MoSi on glass）的新型掩模材料，提高了微细图案的分辨率、尺寸的均匀性和掩模的平坦度，降低了工艺造成的位置精度劣化，提高了掩模耐清洗性等。第三，减小了掩模的厚度。随着工艺的微细化，电磁场偏置（electromagnetic field bias）等起因于掩模厚度的影响逐渐显现。此次通过减薄薄膜厚度，减小了这些不良影响。
运用此次的掩模技术有望缓解掩模设计中的限制以及提高晶圆处理工序的生产效率，“不仅可以提高掩模自身性能，而且可以通过与晶圆处理工序中转印时的优点形成的组合效果，实现优异的总体光刻解决方案”（凸版印刷）。该技术的具体细节预定在掩模相关国际会议“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美国蒙特里）上发布。
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