PECVD 实验装置为平板式电容式耦合放电装置，单体通过真空室的负压引入真空室，然后在RF 电源(13.56MHz)的激发下形成等离子体。通过等离子体化学气相沉积在基片表面形成Siox 薄膜。实验采用射频电源为OW～500W，单体、Ar 经由控制阀控1，2，3 输入到反应腔体。

电源为40KHz。样品准备：实验中所使用基材为PET、载玻片和单晶硅。在放入真空室之前基材都是经过乙醇超声波清洗5 分钟，然后吹干。

在样品结构性能分析中，FTIR 分析是在日本岛津公司生产的FTIR－8400 型傅立叶变换红外光谱仪上进行，波长扫描范围是400cm－1～4000cm－1，精度为4cm－1；薄膜的阻隔性能采用美国Illinois 生产的8001 透氧仪(广州标际包装设备有限公司代理)测量氧的透过性、兰光TSY－Tl 透湿性测试仪测量水蒸气的透过性。单体由Sigma－Aldrich(中国)采购，没有进行进一步的提纯。

结果和分析

1.薄膜的结构分析

①薄膜的红外光谱图

为在HMDSO和氧气条件下沉积的氧化硅薄膜红外光谱图。谱图中峰值在1060cm－1～1070cm－1、805cm－1～810cm－1 都显示出氧化硅两个主要特征峰，分别代表Si－O－Si 结构中的伸展和弯曲振动，表明等离子体增强化学气相沉积膜主要成分为氧化硅。比较发现PECVD 和PDPs 制备的SiO2 薄膜除Si－O 伸缩振动吸收峰外，有1200cm－1～1500cm－1，1248cm－1 的Si(CH3)伸缩振动峰，1409cm－1CH2－Si－变形振动峰，1469 cm－1 处的CH2 剪式或CH2－C－CH2 变形振动峰。在相同条件下，PECVD 和PDPs 沉积氧化硅薄膜的速率随氧气的分压增加而降低，Si－O 伸缩振动峰随氧气的减少变得尖锐而狭窄，这说明少量的氧气可以得到高纯度的SiO2。

②SIOx 薄膜的XPS 分析

表示了氧化硅薄膜的XPS 分析谱图。其中结合能为103.2ev 对应于Si2p，532.10eV 对应于01s，284.88 为Cls。由此我们可得出薄膜中含有Si、O、C 元素，其Si／O=1.56，并且峰较尖锐，半高宽较小。

2.阻隔性分析

①PECVD 制备氧化硅

HMDSO／氧气比例影响

增加氧的浓度能明显提高薄膜的阻隔性能。随着氧气的比例增大，薄膜的阻隔性先上升后下降。在保持等离子体放电参数和薄膜厚度相同的条件下，当氧气和氩气比例不同时，薄膜的阻隔性有很大区别。随着氩气的增加，阻隔性先增加，在氧气和氩气比例1：1 时，阻隔性最高，提高近10 倍。但随着氩气比例继续增大，阻隔性降低，在氩气比例大于75%时，阻隔性变化趋于稳定。