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HGST与纳米印刷令硬盘单碟容量翻倍

2013-03-14 09:12:20.0 来源:中文业界资讯站 责编:江佳

摘要:
WesternDigital旗下HGST1日宣布,已通过将融合self-assemblingmolecules(分子自组装)和nanoimprinting(纳米印刷)技术,成功创造出大面积高密度存储介质,其magneticislands磁岛宽度只有10nm,是目前硬盘技术的两倍。
  【CPP114】讯:WesternDigital旗下HGST1日宣布,已通过将融合self-assemblingmolecules(分子自组装)和nanoimprinting(纳米印刷)技术,成功创造出大面积高密度存储介质,其magneticislands磁岛宽度只有10nm,是目前硬盘技术的两倍,可望于未来数年内大幅提高机械硬盘的存储密度,让单碟容量可望提升。
  
  据HGST表示,新技术能够让magneticislands磁岛宽度只相当于大约50个原子宽,或者人类头发丝的十万分之一。其中,自组装分子使用的杂化聚合物,为互相排斥的段组成的嵌段共聚物,表面上作为薄膜涂层,聚合物链段的大小决定的行间距,结合转换为模板的纳米压印,将纳米尺度模式到一个芯片或磁盘基板的模式,令magneticislands磁岛宽度只有10nm。
  
  HGST还提供了路线图,指出如何经济有效地提远远升磁岛密度,无需使用任何传统的光刻技术便可令硬盘尺寸更小。目前HGST实验室已测试出其出色的读写速度和数据保存能力,扩展到整个硬盘之后,将可望达到超过一万亿个磁岛,进而降低晶格介质(bit-patternedmedia)的成本,并可望于未来数年内大幅度提高机械硬盘的存储密度。
  
  此外,据HGSTResearch副总裁CurrieMunce表示,新兴的自组装分子和纳米压印技术将产生巨大的影响,使纳米制造成为一个成本效益的方式,并增加在磁性硬盘驱动器上的数据密度。
  
  
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