包装工业已成为发达国家的重要支柱型产业。在美国，包装工业是第三大产业，在欧洲为第七大产业。在我国，随着国内人民生活水平的提高和我国对外贸易的剧增，包装工业迅速崛起，在我国42 个主要行业中，由原来倒数第2 位迅速上升到第14 位。每年我国工农业产品需要包装，有1000 多亿美元商品需出口。

塑料包装一直占据包装工业的首要位置，产量平均年增长率为11%～12%。主要原料为聚酯薄膜(PET)、聚丙烯薄膜(PP)、聚乙烯薄膜(PE)和聚氯乙稀薄膜(PVC)等。但这些薄膜的阻隔性能都较低。对高阻隔包装的产品，如日用品包装、化妆品包装、食品包装和药品包装等，已经达不到要求。以硅氧化物镀覆塑料薄膜是当前最引人重视的高阻隔材料。自20 世纪80 年代末在瑞士出现后，目前在日本、美国、西欧得到十分迅速的发展。产品的材料也由单一的氧化硅发展到氧化铝、氧化钛等。采用的镀覆技术目前有物理蒸镀沉积(PVD，真空蒸镀、电子束蒸镀)和化学气相沉积(CVD)，特别是低温等离子沉积技术(PECVD)等。薄膜基材包括PE、PP、PS、PET、PA、PVDC 和PC 等。硅氧化物镀覆薄膜的特点是阻隔性十分优异，涂层薄，仅40 纳米～100 纳米，但可起玻璃层的阻隔作用，而且保持高度的抗折皱性，易于回收，环保适性好，无毒无害，可广泛用于食品、液体或高含湿量食品、医用浸剂、化妆品、洗涤剂、化学制剂及工业用品的小袋，糖果及医药用热封或冷封外包装，各种食品用软盖以及牙膏、调味品、药品和各种化学及工业用品用的复合软管等。特别是二氧化硅镀覆PET 膜，由于透明度好、耐热性高、耐蒸煮，可进行微波炉加热，使其受到更广泛的应用。

采用不同的方法制备氧化硅性能变化很大，特别是薄膜的透明性。热蒸发制备SiOx 薄膜缺点是SiO2 层有空隙，阻隔性能提高有限，薄膜有褐色；PCVD 技术制备氧化硅薄膜具有沉积温度低、速率快、绕镀性好、薄膜与基体结合强度高、设备操作维护简单、工艺参数调节方便灵活和容易调整和控制薄膜厚度和成分组成结构等优点，但PCVD 技术自身还存在一些问题：(1)腐蚀污染问题。因为通过化学反应，有反应产物及副产物产生，它们将腐蚀真空泵等真空系统，还要解决排气的污染控制及清除问题；(2)沉积膜中的残留气体问题。

采用潘宁放电等离子体增强化学气相沉积技术(PDPs)，则可以较好的制备无色透明薄膜氧化硅薄膜。与其他沉积方法相比，其优点有：(1)沉积表面的均匀性。利用霍尔效应交叉垂直的磁场和电场将高密度均匀等离子约束在两电极之间，保证了在宽基材上镀层的均匀；(2)低温、低压沉积过程。在低压下工作(100mTorr)产生电子温度高，离子温度和中性粒子温度低，结果是基材温度较低；(3)高沉积速率。在霍尔电流的两电极之间空隙中心是一个被称为虚阴极的空间，当电子在霍尔电流中形成时，加速飞进中心空隙区域，霍尔约束电流和中心离子流结合在两电极之问产生致密等离子体，带电离子密度可达1012 个／每立方厘米，这样造成氧化硅的沉积速率大大提高。

本实验分别利用PECVD 和PDPs 在PET 表面沉积氧化硅阻隔薄膜。研究比较等离子体的工艺参数对成膜的化学结构及聚合膜的物理性能的影响，特别是研究工艺参数的变化对聚合SiOx薄膜结构和阻隔性的影响。